技術(shù)編號(hào):12041816
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種外延結(jié)構(gòu)體,尤其涉及一種具有石墨烯的外延結(jié)構(gòu)體。背景技術(shù)外延襯底,尤其氮化鉀外延襯底為制作半導(dǎo)體器件的主要材料之一。例如,近年來(lái),制備發(fā)光二極管(LED)的氮化鎵外延片成為研究的熱點(diǎn)。所述氮化鎵外延片是指在一定條件下,將氮化鎵材料分子,有規(guī)則排列,定向生長(zhǎng)在外延襯底如藍(lán)寶石基底上,然后再用于制備發(fā)光二極管。高質(zhì)量氮化鎵外延片的制備一直是研究的難點(diǎn)?,F(xiàn)有技術(shù)中,外延襯底的制備方法為將藍(lán)寶石基底的一表面進(jìn)行拋光,形成一平面,然后用于生長(zhǎng)氮化鎵外延片。然而,由于氮化鎵和藍(lán)寶石基底的晶格常...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。