技術(shù)編號：12110450
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及外延硅晶片，特別涉及通過氮摻雜而吸雜能力提高的外延硅晶片。背景技術(shù)作為半導(dǎo)體裝置的基板材料，外延硅晶片得到廣泛應(yīng)用。外延硅晶片是在硅晶片上形成硅外延膜而成的產(chǎn)品，具有晶體完整性高的特點(diǎn)。另一方面，半導(dǎo)體裝置中使用的外延硅晶片中如果存在重金屬雜質(zhì)，則會導(dǎo)致產(chǎn)生半導(dǎo)體裝置的特性不良，因此必須盡量減少重金屬雜質(zhì)。降低該重金屬雜質(zhì)的技術(shù)之一有吸雜技術(shù)，作為該吸雜技術(shù)之一，已知在硅晶片內(nèi)形成氧沉淀物(BMD:BulkMicroDefect，體微缺陷)，使重金屬雜質(zhì)捕獲于其中的、稱為內(nèi)吸雜(IG:...
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