技術(shù)編號：12159821
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明的多個實施方案一般性涉及用于加工載體的方法和用于轉(zhuǎn)移石墨烯層的方法。背景技術(shù)通常，使用半導(dǎo)體工業(yè)的常規(guī)工藝來形成非常薄的材料層(例如，厚度在納米范圍內(nèi)或者厚度甚至小于一個納米)可能非常具有挑戰(zhàn)性。然而，對于電子器件和集成電路技術(shù)，所謂的二維材料可能非常具有吸引力。例如，包括以六邊形布置的碳原子層的石墨烯可以具有如下優(yōu)異的電子性能：例如能夠制造具有增強的響應(yīng)和/或開關(guān)性能的晶體管。此外，超薄材料層與相應(yīng)的塊體材料相比可以具有增強的性能。因此，二維材料對于微電子例如對于開發(fā)各種類型的傳感器、晶...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。