技術(shù)編號(hào)：12159958
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及晶片的加工方法，將在SiC基板的正面上形成有多個(gè)器件的晶片分割成一個(gè)個(gè)的器件芯片。背景技術(shù)在將硅基板作為原材料的晶片的正面上層疊功能層，在該功能層上在由多條分割預(yù)定線劃分出的區(qū)域中形成IC、LSI等各種器件。并且，在通過磨削裝置對(duì)晶片的背面進(jìn)行磨削而將晶片薄化到規(guī)定的厚度之后，通過切削裝置、激光加工裝置等加工裝置對(duì)晶片的分割預(yù)定線實(shí)施加工，將晶片分割成一個(gè)個(gè)的器件芯片，分割得到的器件芯片廣泛應(yīng)用于移動(dòng)電話、個(gè)人計(jì)算機(jī)等各種電子設(shè)備。并且，在將SiC基板作為原材料的晶片的正面上層疊功能層...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。