技術(shù)編號：12165917
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開涉及碳化硅單晶的制造方法和碳化硅基板。背景技術(shù)許多碳化硅基板(晶圓)使用升華法(所謂的“改良Lely法”)進(jìn)行制造(例如，參見日本特開2004-269297號公報(專利文獻(xiàn)1)和日本特開2004-338971號公報(專利文獻(xiàn)2))?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1：日本特開2004-269297號公報專利文獻(xiàn)2：日本特開2004-338971號公報發(fā)明內(nèi)容本公開的一種實施方式的碳化硅單晶的制造方法包括以下步驟：準(zhǔn)備具有粘接部和階梯部的支撐構(gòu)件，所述階梯部配置在所述粘接部的周緣的至少一部分處；...
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