技術(shù)編號：12179792
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于電子器件技術(shù)領(lǐng)域，更進一步涉及半導(dǎo)體存儲技術(shù)領(lǐng)域中的一種NAND(NotAND,NAND)閃存上基于索引調(diào)制的交叉編寫方法。本發(fā)明可以應(yīng)用于實現(xiàn)NAND閃存上的數(shù)據(jù)編寫，同時通過奇字符線編寫優(yōu)先級較低的比特信息，偶字符線編寫優(yōu)先級較高的比特信息，實現(xiàn)閃存單元中存儲數(shù)據(jù)的不等錯誤保護。背景技術(shù)在現(xiàn)代半導(dǎo)體信息處理技術(shù)中，NAND閃存作為一種重要的非易失性存儲技術(shù)已經(jīng)越來越多地被人們關(guān)注。由于設(shè)備集成度越來越高以及多層單元技術(shù)的使用等原因，由閃存單元間寄生耦合電容效應(yīng)產(chǎn)生的單元間干擾也愈加...
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