技術(shù)編號(hào)：12275216
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及新能源電池領(lǐng)域，具體地說(shuō)，特別涉及到一種具有垂直P(pán)N異質(zhì)結(jié)的太陽(yáng)能電池及其制作方法。背景技術(shù)參見(jiàn)圖1，異質(zhì)結(jié)本征薄膜太陽(yáng)能電池在N型晶體硅襯底上生長(zhǎng)出厚度約為10nm的P型非晶硅薄膜；為了降低電池的反向漏電流，需在中間夾入一層本征的非晶硅薄層，形成了異質(zhì)結(jié)本征薄膜(HIT)太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)具有以下兩個(gè)特點(diǎn)：1)有源區(qū)是由禁帶寬度不同的非晶硅薄膜和晶體硅構(gòu)成的異質(zhì)結(jié)，提高了內(nèi)建電場(chǎng),增大了開(kāi)路電壓和短路電流。2)采用禁帶寬度大于晶體硅的非晶硅薄膜(Eg＝1.7eV)作為光吸收層，增...
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