技術(shù)編號(hào)：12369801
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種射頻橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體及其制造方法。背景技術(shù)射頻橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(RadioFrequencyLaterallyDiffusedMetalOxideSemiconductor，RFLDMOS)區(qū)別于其他功率器件的最典型特征，在于其源極從背面引出，這樣可以避免封裝時(shí)的綁定線(Bondwires)帶來(lái)的源極寄生電感，提高RFLDMOS工作速度。傳統(tǒng)工藝中，源極從背面引出的方法，一般是通過大劑量大能量的注入，然后通過長(zhǎng)時(shí)間高溫推進(jìn)，讓離子穿透外延...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。