技術(shù)編號：12478635
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及GaN基功率電子和微波功率放大器應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種GaN基增強(qiáng)型電子器件的材料結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)高效功率電子器件(又稱功率開關(guān)器件)在智能電網(wǎng)、工業(yè)控制、新能源發(fā)電、電動汽車以及消費(fèi)電子等領(lǐng)域具有重大應(yīng)用價值，全球70％以上的電力電子系統(tǒng)均由基于功率半導(dǎo)體器件的電力管理系統(tǒng)來調(diào)控管理。傳統(tǒng)Si功率電子器件性能已經(jīng)接近Si半導(dǎo)體材料的物理極限，以SiC和GaN為代表的新型寬禁帶半導(dǎo)體器件憑借更高的擊穿電場、更高的工作頻率和更低的導(dǎo)通電阻有望成為下一代高效功率電子技術(shù)的強(qiáng)有力競爭者。增...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。