技術(shù)編號：12478654
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，特別是涉及一種含有氮鎵鋁和氮鎵銦的插入層的半導(dǎo)體器件及其制造方法。背景技術(shù)Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料被譽(yù)為是第三代半導(dǎo)體材料，包括氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AlN)、氮化銦(InN)以及他們之間形成的三、四元合金，如氮鎵鋁(AlGaN)、氮鋁銦(InAlN)和氮鎵銦(InGaN)。以氮化鎵(GaN)為主的Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料具有寬的直接代隙(Eg＝3.36eV)、高熔點、高熱導(dǎo)率、高飽和電子速率、高臨界擊穿電場強(qiáng)度和高電子室溫遷移率，被廣泛應(yīng)用于金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MES...
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