技術(shù)編號(hào):12598563
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。存儲(chǔ)器件、刷新方法以及包括其的系統(tǒng)相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用本申請(qǐng)要求2015年11月30日向韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的申請(qǐng)?zhí)枮?0-2015-0169382的韓國(guó)申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán),其通過(guò)引用整體合并于本文。技術(shù)領(lǐng)域各種實(shí)施例總體而言涉及一種存儲(chǔ)器件、刷新方法和包括其的系統(tǒng)。更具體地,各種實(shí)施例可以涉及一種能夠降低存儲(chǔ)器件的刷新電流的技術(shù)。背景技術(shù)近來(lái),在包括智能手機(jī)等的移動(dòng)電子產(chǎn)品中,存在對(duì)具有大容量的DRAM的需求。通常,在諸如DRAM的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中,存儲(chǔ)在存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)可能被泄漏電流改變。因此,為了周...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
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