技術編號：12613879
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體工藝，特別是涉及一種具有溝槽柵極結構的半導體器件，還涉及一種具有溝槽柵極結構的半導體器件的制造方法。背景技術傳統(tǒng)具有溝槽柵極結構的絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)一直通過壓縮孔、N型重摻雜區(qū)(NSD)的光刻和套刻尺寸，以便提升單位面積的溝槽(Trench)密度，來提升產品電流密度。但受限于工藝能力影響，無法無限制的提升溝槽的密度。發(fā)明內容基于此，有必要提供一種能夠提升溝槽密度的具有溝槽柵極結構的半導體器件。一種具有溝槽柵極結構的半導體器件，包括漂移區(qū)、漂移區(qū)上的金屬電極、從金屬電極...
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