技術(shù)編號：12822521
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種ZnO納米墻RGO異質(zhì)結(jié)光電氣敏傳感器及其制備方法一、技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及光敏探測器制備方法技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種ZnO納米墻RGO異質(zhì)結(jié)光電氣敏傳感器及其制備方法。二、背景技術(shù)：金屬氧化物半導(dǎo)體材料ZnO在常溫下禁帶寬度為3.37eV，為直接帶隙半導(dǎo)體，同時(shí)它的激子束縛能很大，約為60meV。受紫光激發(fā)后，產(chǎn)生光生電子-空穴對，電導(dǎo)增加；同時(shí)，光生電子或空穴被誘導(dǎo)至半導(dǎo)體表面與吸附的氣體分子發(fā)生氧化還原反應(yīng)，這個過程也會發(fā)生電導(dǎo)的改變。因此，這為ZnO在光敏探測器以及光電氣敏傳感器的應(yīng)用奠定...
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