技術(shù)編號：12837927
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開涉及用于制造非晶金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的方法。更具體而言，本公開涉及用于制造完全自對準(zhǔn)雙柵極薄膜晶體管的方法。背景技術(shù)近年來，非晶金屬氧化物半導(dǎo)體(諸如舉例而言非晶銦鎵鋅氧化物(IGZO))作為用于薄膜晶體管(TFT)應(yīng)用的材料已接收到極大的關(guān)注。這些材料已被研究作為例如在主動式矩陣液晶顯示器(AMLCD)和主動式矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器(AMOLED)的上下文中的非晶硅(a-Si:H)和低溫多晶硅(LTPS)TFT的替代物。高速操作被要求，以增強(qiáng)基于TFT的電子系統(tǒng)的性能。提高速度性...
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