技術(shù)編號：1830335
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種光纖預(yù)制品，更具體的涉及一種將從基管擴散到光纖芯中的OH降低到最小的光纖預(yù)制品，及其生產(chǎn)方法。通過沉積包覆層和芯層可形成單模光纖。在DC-SM(施壓包覆-單模)型中，通過對SiO2攙雜P2O5、GeO2和F而降低沉積溫度和折射率，通過對SiO2攙雜GeO2而沉積用于傳輸光的芯層以增大折射率，然后通過壓平和封閉過程生產(chǎn)光纖預(yù)制品。在使用改進的化學(xué)氣相沉積(MCVD)生產(chǎn)光纖預(yù)制品的過程中，當沉積層變厚時，在沉積過程中會產(chǎn)生基管的自-壓平，結(jié)果導(dǎo)...
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