技術(shù)編號：1962918
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種光纖制造工藝過程中用于降低光纖氫敏感性的氘/氮現(xiàn)場混配 設(shè)備。背景技術(shù)當(dāng)前，光纖通信技術(shù)朝著高速率大容量方向發(fā)展。如何消除OH離子吸收峰，找開 1350-1450nm的第五窗口，發(fā)展低水峰光纖，使單模光纖的工作波長從1260nm —直延伸到 1625nm日益顯得重要起來。根據(jù)低水峰光纖的標準，要求光纖成型后能夠防止氫損后附加損耗的增加。在這 種情況下出現(xiàn)了用氘氣對光纖進行處理以降低光纖氫敏感性。根據(jù)這一理論，目前已經(jīng)出 現(xiàn)了相應(yīng)的處理設(shè)備，但...
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