技術(shù)編號：2731045
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及用于用單元投射的電子束照射晶片的電子束曝光掩模(此后稱之為曝光掩模)、利用該掩模的電子束曝光方法、制造半導(dǎo)體器件的方法及電子束曝光設(shè)備。特別是，本發(fā)明涉及提高生產(chǎn)率的電子束曝光掩模、電子束曝光方法、制造半導(dǎo)體器件的方法及電子束曝光設(shè)備。在現(xiàn)有技術(shù)中，可變成形和局部單元投射技術(shù)已用作利用電子束的光刻技術(shù)。在可變成形中，通過電子束偏轉(zhuǎn)進(jìn)行任意矩形圖形的曝光。另一方面，在局部單元投射中，利用單元掩模曝光重復(fù)部分的希望圖形。這些技術(shù)中，是晶片幾十倍大的模...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。