技術(shù)編號：2772499
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明實用半導(dǎo)體，特別涉及一種壓應(yīng)變銦鎵砷量子阱和張應(yīng)變銦鎵砷體材料交替生長做有源結(jié)構(gòu)的高增益寬帶。背景技術(shù) 制作半導(dǎo)體光放大器，主要要求器件擁有高的信號增益、極低的偏振靈敏度、較大的3dB增益帶寬、高的飽和輸出功率和低的噪聲指數(shù)。目前，性能良好的1.55μm的半導(dǎo)體光放大器主要采取以下幾種結(jié)構(gòu)1)采用近方形無應(yīng)變體有源結(jié)構(gòu)(參見IEEE Photonics Technol.Lett.，Vol 6，No.2；1994，pp170～172，and pp173...
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