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      利用復(fù)合掩膜進(jìn)行反應(yīng)離子深刻蝕二氧化硅的方法技術(shù)資料下載

      技術(shù)編號:2774236

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      本發(fā)明涉及一種,具體的說,涉及一種利用抗刻蝕金屬膜和厚光刻膠相結(jié)合構(gòu)成的復(fù)合掩膜,用于二氧化硅的反應(yīng)等離子刻蝕工藝中,制作二氧化硅平面光波導(dǎo)器件。背景技術(shù) 平面光波導(dǎo)技術(shù)由于能夠?qū)崿F(xiàn)光集成、光電混合集成、小型化以及批量生產(chǎn)等分離器件無法達(dá)到的優(yōu)勢,自出現(xiàn)以來一直被人們認(rèn)為是光通信器件的發(fā)展方向,是光通信器件行業(yè)的一個研究的熱點(diǎn)。硅基二氧化硅波導(dǎo)由于其和ITU-T標(biāo)準(zhǔn)單模光纖能夠很好的實(shí)現(xiàn)模式匹配,并且其制作工藝可以借鑒相對成熟的集成電路半導(dǎo)體工藝,二者工藝...
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