技術(shù)編號：2793276
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種雙層光阻的形成方法及其應(yīng)用，特別是指一種在一圖案化(patterned)的光阻層上形成另一圖案化的光阻層的方法及其應(yīng)用。背景技術(shù) 隨著罩幕式(mask)內(nèi)存的記憶單元(memory cell)越來越小，要使用單一的一道光罩與一微影工序，來定義記憶單元中所要被編碼布值(codeimplantation)之處也變的更加困難。因此，制程便發(fā)展出兩道光罩與兩道微影工序。圖1A為內(nèi)存單元中的N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS)制作完成時的俯視圖；圖1B為...
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