技術(shù)編號：2849045
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及集成電路領(lǐng)域，特別涉及一種用于加熱等離子體處理腔室內(nèi)基片溫度的電路。背景技術(shù)近年來，隨著半導(dǎo)體制造工藝的發(fā)展，對元件的集成度和性能要求越來越高，等離子體技術(shù)(Plasma Technology)在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中正起著舉足輕重的作用。等離子體技術(shù)通過使工藝氣體激發(fā)形成的等離子體被應(yīng)用在許多半導(dǎo)體工藝中，如沉積工藝(如化學(xué)氣相沉積)、刻蝕工藝(如干法刻蝕)等。通常來說，等離子體處理腔室包括真空腔室，其內(nèi)部上下相對設(shè)置有上部電極和下部電極，其中下部電...
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