技術(shù)編號(hào)：2934041
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般涉及典型用于半導(dǎo)體裝置制造過程的離子植入作業(yè)，更具 體地涉及從離子束捕捉離子束粒子，并且將離子束聚焦。背景技術(shù)離子植入作業(yè)是運(yùn)用于半導(dǎo)體裝置制造過程以將摻質(zhì)選擇性地植入 半導(dǎo)體和/或晶圓材料之內(nèi)的物理過程。如此，植入的動(dòng)作并不會(huì)仰賴于摻 質(zhì)與半導(dǎo)體材料之間的化學(xué)作用。對(duì)于離子植入，摻質(zhì)原子/分子被離子化、 加速而形成為射束，并經(jīng)分析且掃照跨過晶圓，或該晶圓受該射束的掃照。 該摻質(zhì)離子物理性地轟炸該晶圓，進(jìn)入該表面內(nèi)，并且停駐在該表面之下 與其能量...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。