技術(shù)編號：2944429
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。使用改進的偽同步多離子注入工藝制作的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)相關(guān)申請的交叉引用本申請根據(jù)35U.S.C§ 120要求在2010年11月19日提交的美國申請12/950，416的權(quán)益，其內(nèi)容通過參考的方式并入于此。背景本文公開的特征、方面和實施例涉及使用改進的多離子注入工藝的半導(dǎo)體器件(諸如絕緣體上的半導(dǎo)體(SOI)結(jié)構(gòu))的制造，從而多個離子種類以偽同步的方式被注入。迄今為止，在絕緣體上半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中最普遍使用的半導(dǎo)體材料是硅。在這篇文獻中這些結(jié)構(gòu)被稱為絕緣體上硅結(jié)構(gòu)并且對...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。