技術(shù)編號(hào)：2964196
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及在有γ-射線的條件下對(duì)反應(yīng)堆中的中子計(jì)數(shù)用的γ-射線補(bǔ)償型中子電離箱。圖7示出日本特開平4-363856號(hào)公報(bào)公開的一種在信號(hào)電極上設(shè)有孔的γ-射線補(bǔ)償型中子電離箱。在圖7中，1為圓筒狀高壓電極，2為按預(yù)定間隔設(shè)在高壓電極1內(nèi)側(cè)、呈同心配置的圓筒狀信號(hào)電極，3為按預(yù)定間隔設(shè)在信號(hào)電極2內(nèi)側(cè)、呈同心配置的圓筒狀補(bǔ)償電極，4為在高壓電極1上加以高電壓+VH用的高壓電源，5為在補(bǔ)償電極3上加以補(bǔ)償電壓-VC用的補(bǔ)償電源，6為對(duì)由信號(hào)電極2獲得的中子流進(jìn)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。