技術(shù)編號：3126407
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于集成電路制造工藝，具體涉及。目前的集成電路制造工藝中都使用硅化物工藝技術(shù)來減少源漏區(qū)域和多晶電極的電阻。無論是0.35/0.25微米技術(shù)的鈦硅化物(TiSi2)還是0.18/0.13微米技術(shù)的鈷硅化物(CoSi2)都用到了兩步硅化物形成工藝。在首先PVD淀積形成硅化物所需的金屬后，通過第一次較低溫度的RTP(快速熱退火)處理淀積的金屬形成高電阻的硅化物。然后通過化學(xué)溶劑APM(氨水和雙氧水混合)/SPM(硫酸和雙氧水混合)去除在場氧化層和柵極側(cè)壁...
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