技術(shù)編號(hào)：3250056
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及到權(quán)利要求1前序部分所述的裝置和方法。在半導(dǎo)體工業(yè)中，鑲嵌工藝被廣泛地用作銅基互連的主流技術(shù)。如本熟練人員所知，在鑲嵌工藝中，首先，滿鋪金屬(銅)層被淀積在圖形化的介質(zhì)層頂部，其對(duì)介質(zhì)層中諸如溝槽和通孔之類的凹陷區(qū)域具有充分的覆蓋。隨后，用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)來從表面清除金屬層，同時(shí)在凹陷區(qū)域留下金屬，以便構(gòu)成(部分)互連圖形。金屬層的常規(guī)CMP工藝使用基本上含有3種組分的懸浮液，此3種組分是研磨顆粒(例如SiO2和Al2O3)、腐蝕劑(例如酸...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。