技術(shù)編號：3279392
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種可調(diào)制帶隙寬度的Fe-Cr-Si三元非晶薄膜及其制備方法，屬半導(dǎo)體材料。背景技術(shù)半導(dǎo)體金屬硅化物是太陽能電池用材料之一，它們與單晶硅技術(shù)有極好的相容性，具有金屬的導(dǎo)電性、高的熱穩(wěn)定性、抗氧化性以及優(yōu)越的力學(xué)穩(wěn)定性，同時(shí)半導(dǎo)體硅化物也以其優(yōu)越的環(huán)境友好特性贏得了廣泛的關(guān)注，尤其是過渡族金屬硅化物。其中典型的有β-FeSi2和(6丨2。β-FeSi2具有0.83、.87eV直接帶隙，對紅外波長有著較大的光吸收系數(shù)(α ΜΟ πΓ1，1.0eV)，...
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