技術(shù)編號(hào):3280461
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體納米材料及其制備的,涉及稀磁半導(dǎo)體材料方面,具備Ga空位可調(diào)的GaN納米結(jié)構(gòu)的制備方法。背景技術(shù)近年來(lái),稀磁半導(dǎo)體(DilutedMagnetic Semiconductors, DMSs),又稱半磁半導(dǎo)體,是指在非磁性半導(dǎo)體材料基體中通過(guò)摻入少量過(guò)渡金屬或稀土元素。由于其既能利用電子的電荷特性又能利用電子的自旋特性,因而在高密度非易失性存儲(chǔ)器和半導(dǎo)體電路的集成電路和半導(dǎo)體激光器集成電路以及量子計(jì)算機(jī)等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。GaN是III...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。