技術(shù)編號：3342504
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體晶圓硅拋光片的背處理技術(shù)，特別涉及一種采用低溫HF腐蝕液去除硅晶圓片邊緣氧化膜的方法。背景技術(shù)硅晶圓拋光片的加工一般主要包括切片、倒角、磨片、腐蝕、背處理、拋光、清洗等制程，其中背處理制程一般包括背損傷處理、背封處理和邊緣氧化膜去除處理等。邊緣氧化膜去除處理是硅晶圓拋光片加工的重要制程，對拋光片以及后道外延和器件的良率起著至關(guān)重要的作用因?yàn)楸撤夤に囘^程造成的倒角面、硅片正面的SiO2的殘留，甚至硅片背面邊緣的SiO2S留都可能成為外延生長過...
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