技術(shù)編號:3351826
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種具有高熔點(diǎn)保護(hù)層的金屬絲結(jié)構(gòu)及其制法。 背景技術(shù)現(xiàn)有的熱絲化學(xué)氣相沉積法(Hot Wire Chemical Vapor Deposition, 或簡 稱HWCVD),以及電漿增強(qiáng)型化學(xué)式氣相沉積(Plasma EnhancedChemical Vapor. Deposition,或簡稱PECVD),均已廣泛的應(yīng)用于各類薄膜制程中,包括半導(dǎo)體制程、液 晶面板、太陽能板制程等,以便在一基板上形成一薄膜,此薄膜可為非晶硅(Amorphous Si...
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