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      一種脈沖激光燒蝕制備硅納米線的方法技術(shù)資料下載

      技術(shù)編號(hào):3353147

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      本發(fā)明屬于尺寸均勻硅納米線制備,特別涉及一種無(wú)金屬催化劑脈沖激 光燒蝕制備納米硅線的方法。背景技術(shù)低維硅基納米材料由于性能優(yōu)越并且可以和現(xiàn)有的硅基平面工藝相兼容而具有 很廣泛的應(yīng)用前景。準(zhǔn)一維Si納米材料由于其奇特的結(jié)構(gòu)與物理性能不僅為基礎(chǔ)物理提 供了可貴的研究對(duì)象,也預(yù)示著巨大的應(yīng)用前景和經(jīng)濟(jì)利益,將給傳統(tǒng)的微電子等領(lǐng)域帶 來(lái)革命性的改革。Si納米材料由于其局域效應(yīng),具有良好的光致發(fā)光和電荷存儲(chǔ)性能,渴望 與傳統(tǒng)的Si基大規(guī)模集成電路結(jié)合,在光電器件中得...
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