技術(shù)編號(hào):3353147
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于尺寸均勻硅納米線制備,特別涉及一種無(wú)金屬催化劑脈沖激 光燒蝕制備納米硅線的方法。背景技術(shù)低維硅基納米材料由于性能優(yōu)越并且可以和現(xiàn)有的硅基平面工藝相兼容而具有 很廣泛的應(yīng)用前景。準(zhǔn)一維Si納米材料由于其奇特的結(jié)構(gòu)與物理性能不僅為基礎(chǔ)物理提 供了可貴的研究對(duì)象,也預(yù)示著巨大的應(yīng)用前景和經(jīng)濟(jì)利益,將給傳統(tǒng)的微電子等領(lǐng)域帶 來(lái)革命性的改革。Si納米材料由于其局域效應(yīng),具有良好的光致發(fā)光和電荷存儲(chǔ)性能,渴望 與傳統(tǒng)的Si基大規(guī)模集成電路結(jié)合,在光電器件中得...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。