技術(shù)編號：3361172
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明專利涉及一種半導(dǎo)體制造方法，特別涉及一種集成有原子層沉積工藝的化 學(xué)氣相沉積方法。背景技術(shù)納米薄膜材料被譽為“21世紀最具有前途的材料”，是近年來發(fā)展最迅速的納米技 術(shù)之一。人們對納米薄膜材料的制備、結(jié)構(gòu)、性能及其應(yīng)用，進行了廣泛而深入的研究。納米 薄膜材料在微電子技術(shù)、光電通訊開關(guān)、微機電系統(tǒng)、傳感器等領(lǐng)域發(fā)揮著重要的作用。此 外，在生物醫(yī)學(xué)、航空航天、國防裝備、節(jié)能環(huán)保、故障診斷等許多重要領(lǐng)域都有非常廣闊的 應(yīng)用前景。薄膜材料的研究嚴重依賴于薄膜...
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