技術(shù)編號：3389024
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及具有處理襯底的工序的半導(dǎo)體器件的制造方法和襯底制造方法以及襯底處理裝置，特別是涉及具有在襯底上形成碳化硅(SiC)膜的工序的、半導(dǎo)體器件的制造方法和襯底的制造方法以及襯底處理裝置。背景技術(shù)碳化硅作為功率器件用元件材料特別引人注目。另一方面，眾所周知，碳化硅與硅(Si)相比，難以制作結(jié)晶襯底、器件。 以往的形成碳化硅膜的半導(dǎo)體制造裝置，將多張襯底呈平面地配置在板狀基座上，加熱至1500°C 1800°C，從一個部位向反應(yīng)室內(nèi)供給成膜用的原料氣體，使...
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