技術(shù)編號：3405626
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種用于制造半導(dǎo)體薄膜的等離子體加工裝置以及使用該 等離子體加工裝置來進行等離子體加工的方法，更特別地，涉及一種^f吏用向其中引入反應(yīng)氣體的反應(yīng)室的等離子體加工裝置以及使用該等離子體加工 裝置來進行等離子體加工的方法。背景技術(shù)常規(guī)地，作為前述類型的等離子體加工裝置，已知一種能夠改善等離子 體化學(xué)技術(shù)中的蝕刻或氣相沉積工藝的均勻性的裝置(例如，參看專利文獻 1)。專利文獻l美國專利NO. 4264393的說明書。用于制造半導(dǎo)體薄膜的等離子體CVD裝...
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