技術(shù)編號：3406031
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及HNi基開m記憶合金板材的制皿術(shù)，具體的說是一種低鎳的二 元TlNi及三元TiNiHf開沐記憶合金板材制備方法。背景技術(shù)目前，國內(nèi)外制備TM基開沐記憶合金板材所采用的技術(shù)路線是真空感應(yīng) 熔煉"^造""^t一軋制一成品板材。該技術(shù)用于制備富鎳的TiNi合金較為成 熟，成品率很高。但用于制備低鎳的TlNi合金，成品率極低，存在著很大缺點(diǎn) 低鎳的HNi基合金中存在如丄+ 77M — J72M的包晶反應(yīng)，致使合金在凝固過程中 出現(xiàn)大量的二次縮孑L和嚴(yán)重的...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。