技術(shù)編號：3427093
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制造領(lǐng)域，特別涉及一種提高晶圓的高溫氧化物層均勻性 的方法。背景技術(shù)目前，以氧化層-氮化層-氧化層(0N0)三層結(jié)構(gòu)作為介電質(zhì)構(gòu)成電容器，用于 儲存電荷。將0N0結(jié)構(gòu)稱為電荷存儲層。電荷存儲層在非易失性存儲器(non-volatile memory)中是比較核心的結(jié)構(gòu)，非易失只讀存儲裝置，例如只讀存儲器(ROM)、可編程只讀 存儲器(PR0M)、可擦除可編程只讀存儲器(EPR0M)以及其它更高級的非易失只讀存儲裝置 已普遍應(yīng)用于手機(jī)、筆...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。