技術編號:3437498
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種硫化鈷納米晶的制備方法,特別涉及一種棒狀硫化鈷納米晶的制備方法。 背景技術鈷的硫化物可作為一種良好的弱磁半導體材料,又因其具有獨特的光、電、磁、催 化等性質而引起了國內外眾多專家學者的廣泛關注。鈷的硫化物存在較多物相,如CoS、 CoS2、 Co2S3、 Co3S4、 Co4S3、 Co9S8、 C0l—XS等等,具有3d價電子殼層結構的過渡金屬二硫化物, 如Fe&,, CoS2, NiS2, NiSe2等通常具有黃鐵礦結構,在光敏材...
注意:該技術已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權人授權前,僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權,增加技術思路,做技術知識儲備,不適合論文引用。