技術(shù)編號:3447358
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種石墨烯材料的制備方法,更具體的說,涉及一種雙溫區(qū)控制低溫直接制備石墨烯的方法。本發(fā)明還涉及一種用于該方法的雙溫區(qū)管式爐。背景技術(shù)碳納米材料,包括碳納米管和石墨烯,被認為是能夠替代硅材料成為制備納米電子器件的關(guān)鍵材料。單層和雙層石墨烯由于其奇異的性能(如高的載流子遷移率(200000cm2/V · S)和電流密度(IO8A/cm2的))已引起廣泛的科學興趣。大面積的比較經(jīng)濟的生長是能否有效利用石墨烯獨特性能的關(guān)鍵要求。催化化學氣相沉積(CVD)...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。