技術(shù)編號：3462945
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體材料制備技術(shù)，特別是。背景技術(shù) VIII-V族化合物半導(dǎo)體制備方法一般在固相中，通過熔融態(tài)單質(zhì)在高溫下反應(yīng)得到。近年來發(fā)展起來的金屬有機(jī)化合物氣相沉積(MOCVD)和分子束外延(MBE)在化合物半導(dǎo)體的薄膜及超晶格的制備中取得廣泛應(yīng)用，但是這些方法一般都需500～600℃高溫，而且由于反應(yīng)溫度高，反應(yīng)前驅(qū)物活性大，往往需要絕對無水無氧操作，使得制備過程相當(dāng)復(fù)雜。為了取得更低制備溫度，以及更好的控制晶粒形貌與大小，尋求低溫液相制備VIII...
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