技術編號:3479133
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。一種含噻吩-苯-噻吩單元的聚合物,具有如下結構式其中,R1為C1~C20的烷基,R2為C1~C20的烷基,n為10~100的整數(shù)。該含噻吩-苯-噻吩單元的聚合物含有噻吩-苯-噻吩單元和咔唑單元,該含噻吩-苯-噻吩單元聚合物的空穴遷移率的較高,對太陽光有較高的吸收系數(shù),能隙在1.5eV~1.6eV,在300nm~700nm范圍內具有較寬的吸收范圍及易修飾的光物理性質,通過烷基鏈能夠調整該聚合物的溶解性和成膜性,是一種性能良好的聚合物發(fā)光材料,將該聚合物發(fā)光材...
注意:該技術已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權人授權前,僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權,增加技術思路,做技術知識儲備,不適合論文引用。