技術(shù)編號：3744010
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及CMP用研磨液及使用其的研磨方法，特別涉及適于半導(dǎo)體晶片材料的化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)的CMP用研磨液及使用其的研磨方法。背景技術(shù)在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中，伴隨著超LSI器件的高性能化，在現(xiàn)有技術(shù)的延長線上的微細(xì)化技術(shù)中，兼顧高集成化和高速化正逐漸達(dá)到極限。因此，開發(fā)了推進(jìn)半導(dǎo)體元件的微細(xì)化的同時(shí)在垂直方向上也高集成化的技術(shù)，也就是將線路多層化的技術(shù)。制造線路多層化的器件的工藝中，最重要的技術(shù)之一包括CMP技術(shù)。CMP技術(shù)是通 過化學(xué)氣相沉積(CVD)等...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。