技術編號：3779433
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種拋光液，例如用于通過化學-機械拋光工藝步驟對襯底上的金屬和金屬氧化物層進行平整化和/或結構化處理。此外，本發(fā)明還涉及一種對金屬和金屬氧化物進行平整化和/或結構化處理的方法。為了能夠讀出一個存儲器單元的存儲電容中所存儲的電荷，該存儲電容的容量最少的數(shù)值應當大約為30fF。同時DRAM存儲單元的開發(fā)必須要不斷縮小電容器的側面延伸尺度，從而能夠繼續(xù)提高存儲密度。這種本身是對存儲單元電容的對立要求導致了電容結構的日益復雜化(“槽式電容”，“堆疊電容”...
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