技術(shù)編號：39346180
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其是涉及一種可減少碳包裹的碳化硅熱場體系。背景技術(shù)、碳化硅(sic)單晶材料是目前發(fā)展較為成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在高壓、高頻、高功率及耐高溫等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。目前，新能源汽車、光伏逆變、軌道交通、特高壓電網(wǎng)以及g通訊中采用碳化硅功率器件的占比在逐年增多。在不久的將來，碳化硅單晶材料將成為最重要的電子材料之一。、生長碳化硅單晶最常用的方法是物理氣相傳輸法(physical?vapor?transport；pvt)，該方法是將高純碳化硅粉及籽晶分別固定在石墨坩堝的底部和...
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