技術編號：39548189
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明系關于一種慣性傳感器之制作方法，且特別關于一種互補性氧化金屬半導體慣性傳感器之制作方法。背景技術、互補性氧化金屬半導體(cmos)已廣泛用于集成電路(i?c)的制造，特別是在高階智能型手機芯片及影像感測芯片(ci?s)。由于大量的研究人力和投入，集成電路的發(fā)展和創(chuàng)新取得了突飛猛進的發(fā)展，顯著提高了其可靠性和產量，同時，生產成本大幅降低。目前，此技術已達到成熟穩(wěn)定的水平，對于半導體的持續(xù)發(fā)展，除了緊跟當前技術發(fā)展趨勢外，必須實現(xiàn)突破，提供特殊的生產工藝，增強系統(tǒng)整合度。、在這方面，微機電...
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