技術編號：39608288
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及電子元器件領域中的光電晶體管技術，特別是指一種探測波長可電調控的光電探測器。背景技術、從世紀～年代開始，紅外熱成像技術逐步應用于多個領域。據預測，年全球紅外市場規(guī)模將達到.億美元。二維過渡金屬硫屬化合物由于其在nm以下厚度時的高載流子遷移率、層數(shù)依賴的帶隙結構而受到了廣泛的關注，有望成為替代硅的半導體材料。由于其較強的光-物質耦合，以二維過渡金屬硫屬化合物作為溝道材料的光電子器件可以達到jones的探測率，遠高于傳統(tǒng)的氧化釩和非晶硅紅外探測器(...
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