技術(shù)編號：39618903
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請屬于半導(dǎo)體，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件及其制備方法、功率模塊、功率轉(zhuǎn)換電路和車輛。背景技術(shù)、在半導(dǎo)體器件中，隨著元胞尺寸的減小，器件內(nèi)相關(guān)接觸孔的深寬比不斷增加，現(xiàn)有金屬填充工藝難以滿足需求，較大的深寬比接觸孔使得金屬填充后還會形成空洞，后續(xù)形成鈍化層的過程中，使得鈍化層會部分殘留在該空洞內(nèi)，最終影響器件可靠性。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、為提高可靠性，本申請實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：碳化硅襯底、外延層、柵極、層間絕緣層、源極、鈍化層、漏極，其中碳化硅襯底包括相對的第一表面和第二表面，外延層設(shè)置...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。