技術(shù)編號(hào)：39621677
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請涉及半導(dǎo)體工藝，特別是涉及一種金剛石基氮化鎵與磷化銦異質(zhì)集成的制備方法。背景技術(shù)、金剛石材料在室溫下具有最高的熱導(dǎo)率(w/m.k)，兼具帶隙寬、擊穿場強(qiáng)高、載流子遷移率高、耐高溫、抗酸堿、抗腐蝕、抗輻照等優(yōu)越性能，而在高功率、高頻、高溫領(lǐng)域有至關(guān)重要的應(yīng)用，金剛石，已被認(rèn)為是目前最有發(fā)展前途的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一。、氮化鎵材料作為第三代寬禁帶化合物半導(dǎo)體，具有高二維電子氣濃度、高擊穿場強(qiáng)、高的電子飽和速度等特點(diǎn)，非常適用于研制高頻、大功率微波毫米波器件及電路，在g通訊、航天、...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。