技術(shù)編號：40239298
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于離子檢測，具體涉及一種電子級六甲基二硅氮烷中痕量氯離子的捕集與測定方法。背景技術(shù)、電子級六甲基二硅氮烷（hmds，純度＞.%）是顯示面板與集成電路制造流程中所涉及到的關(guān)鍵材料，尤其在半導(dǎo)體光刻i-line制程以上及部分高端制程中，其預(yù)先沉積在晶圓表面是改善晶圓接觸角的必要步驟，能夠有效改善光刻膠的粘附性，避免倒角缺陷（光刻工藝中的主要缺陷之一）的產(chǎn)生。在薄膜生長過程中非極性的-ch則遠離基底形成疏水表面，與光刻膠中c、h、o組成的分子團形成較強的作用力，從而實現(xiàn)基底與光刻膠的...
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