技術(shù)編號：40283854
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請屬于功率器件，尤其涉及一種碳化硅功率器件終端及制備方法、芯片。背景技術(shù)、碳化硅功率器件作為寬禁帶半導(dǎo)體，在高壓、大電流、高溫、輻射等應(yīng)用領(lǐng)域中，由于其高臨界電場、高導(dǎo)熱性方面優(yōu)良的特性，使得它具有比較明顯的優(yōu)勢。而碳化硅功率器件的耐壓特性是衡量器件性能和可靠性的一項重要指標(biāo)，功率器件的耐壓可以歸結(jié)于pn結(jié)結(jié)構(gòu)的擊穿特性。因pn結(jié)呈現(xiàn)出曲面結(jié)并延伸至表面，形成電場聚集，導(dǎo)致功率器件的耐壓比平面結(jié)的低，為此引入如場板、結(jié)終端擴(kuò)展以及場限環(huán)等終端結(jié)構(gòu)來提升器件的耐壓特性。除了曲面結(jié)的影響外，功...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。