技術(shù)編號：40372972
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種提高短路可靠性的平面柵碳化硅vdmos及制備方法。背景技術(shù)、碳化硅vdmos是碳化硅功率器件的典型代表，在電動汽車、航空航天、電力轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用。對于碳化硅功率vdmos，其在不同的領(lǐng)域?qū)ζ骷阅芤髠?cè)重點不同，但綜合起來總的要求有更低的導(dǎo)通電阻、更快地開關(guān)速度、更高的可靠性(包括柵極可靠性、漏極電壓沖擊可靠性、短路可靠性等)、更低的體二極管導(dǎo)通損耗。、在對于電機控制系統(tǒng)或負載開關(guān)等應(yīng)用，當(dāng)電機或負載短路時，會導(dǎo)致vdmos直接與母線電壓相連，由于此時vdmos處于開通...
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